高純金屬

純度用RRR和純R對金屬的剩余電阻率來表示。沒有統一的純度定義標準。純金屬理論純金屬理論應為正，完全無雜質，熔點和結晶結構穩定。然而，任何金屬在技術上都不能達到無雜質的純度，因此純金屬只有相對意義，這只意味著當前技術可以達到的標準。

隨著純化程度的提高，金屬純度不斷提高。比如過去高純金的雜質含量是10-6級(百萬分之幾)，而超純半導體材料是1019級(十億分之一)，逐漸上升到10112級(一萬億分之幾)。同時，各種金屬的凈化難度也不同。例如，半導體材料稱9N以上為高純度，而不熔金屬鎢等6N為超高純度。

制備高純金屬一般分為凈化(初步凈化)和超純化(凈化)兩個步驟。生產方法大致可分為化學凈化和物理凈化。為了獲得高純金，有效去除難以分離的雜質，往往需要化學凈化和物理凈化，即在物理凈化的同時，化學凈化，如硅熔化無坩堝區域可以使用氫作為保護氣體，如果在氫中加入少量水蒸氣、水和硅硼化學反應，可以去除物理凈化不能去除硼。另一種情況是，如果用真空燒結法凈化高熔點金屬鉭、鈮等。，有時需要略多于化學測量的氧氣，或者用脫氧劑脫氧一定量的碳，稱為物理凈化。

化學純化是制備高純金屬的基礎。主要依靠化學方法去除重金屬雜質。純金屬除了通過化學方法直接獲得高純度金屬外，通常先制成中間化合物(氧化物)，再通過蒸餾、蒸餾、吸附、復合、結晶、歧化、氧化還原到高純度化合物中，再還原到金屬中，如鍺、四氯化鍺、三氧氫硅、硅烷(SiH4)、鍺和硅?；瘜W純化的方法有很多